隨著半導體技術(shù)的提升，以SiC和GaN為代表第三代半導體材料越來越受到關(guān)注。與傳統(tǒng)硅工藝相比，SiC和GaN等寬禁帶半導體材料可實現(xiàn)更優(yōu)的導熱性、更高的開關(guān)速率、更低導通電阻（RDS）以及更小的器件物理尺寸。很多傳統(tǒng)半導體巨頭將其視作未來功率器件新戰(zhàn)場，近年來紛紛加碼該領(lǐng)域，這其中包括領(lǐng)先的碳化硅（SiC）功率半導體制造商UnitedSiC（聯(lián)合碳化硅）公司。

近日，UnitedSiC推出了基于其第四代SiC FET先進技術(shù)平臺的四款器件，讓其強大的業(yè)界領(lǐng)先 SiC FET 產(chǎn)品組合更趨完善。該產(chǎn)品的性能取得了突破性發(fā)展，旨在加速在汽車充電、工業(yè)充電、電信整流器、數(shù)據(jù)中心 PFC 直流轉(zhuǎn)換、可再生能源和儲能應(yīng)用中采用寬帶隙器件。

這四款新型SiC FET包含18 mΩ和60mΩ兩種方案，其FoM無與倫比，并且其單位面積通態(tài)電阻更低，本征電容也很低。在硬開關(guān)應(yīng)用中，第四代FET實現(xiàn)了最低的RDS(on)×EOSS（mΩ·μJ），因此其導通損耗和關(guān)斷損耗都得到降低。在軟開關(guān)應(yīng)用中，其低RDS(on)×Coss(tr)（mΩ·nF）規(guī)格則可實現(xiàn)更低的傳導損耗和更高的頻率。這些器件不僅超越了現(xiàn)有SiC MOSFET競爭產(chǎn)品的性能（無論是在25℃低溫還是125℃高溫下工作），而且還提供了最低的體二極管VF，并具有出色的反向恢復(fù)特性，從而降低了死區(qū)損耗并提高了效率。

據(jù)UnitedSiC公司FAE經(jīng)理Richard Chen介紹，新產(chǎn)品是市面上首家做到750V的SIC FETs，同類產(chǎn)品電壓一般為650V或650V以下，對于電動汽車等領(lǐng)域要求的400/500V總線電壓應(yīng)用，新產(chǎn)品可以為設(shè)計人員提供更多的余量并減少其設(shè)計約束。

同時，新產(chǎn)品由于與±20V、5V Vth的柵極驅(qū)動器廣泛兼容，所有的器件都可以用0至+12V柵極電壓驅(qū)動，可以將他們與現(xiàn)有的SiC MOSFET、Si IGBT和Si MOSFET柵極驅(qū)動器一起使用。

UnitedSiC的產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域廣泛，從DC-DC轉(zhuǎn)換和車載充電到功率因數(shù)校正和太陽能逆變器，新產(chǎn)品可以幫助各行各業(yè)的工程師解決他們在滿足最高電壓和功率要求時所面臨的各種挑戰(zhàn)。

據(jù)悉，UnitedSiC將在未來擴大產(chǎn)品組合，在性價比、散熱功率和設(shè)計余量等方面實現(xiàn)進一步提高，以幫助工程師加速創(chuàng)新。

UnitedSiC與中國客戶的合作早在2016年初就已經(jīng)開展，幾乎覆蓋了所有領(lǐng)域，包括電動汽車的OBC，DC/DC，驅(qū)動；快速充電樁，電信電源，服務(wù)器電源，太陽能，儲能以及高壓斷路器等，銷售和技術(shù)支持網(wǎng)絡(luò)覆蓋全國。據(jù)悉，UnitedSiC很快會在深圳成立應(yīng)用實驗室，進一步優(yōu)化對客戶的支持。